RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
40
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
34
读取速度,GB/s
12.3
15.6
写入速度,GB/s
8.9
14.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3465
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Mushkin 991586 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link