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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

总分
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

总分
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    40 left arrow 42
    左右 5% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    12.3 left arrow 9.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.9 left arrow 6.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    12800 left arrow 10600
    左右 1.21% 更高的带宽
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB 需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时，ns
    40 left arrow 42
  • 读取速度，GB/s
    12.3 left arrow 9.7
  • 写入速度，GB/s
    8.9 left arrow 6.0
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1789 left arrow 1396

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较

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