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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
比较
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
总分
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
总分
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
74
左右 49% 更低的延时
需要考虑的原因
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
7.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.9
3.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
74
读取速度,GB/s
7.2
13.9
写入速度,GB/s
3.0
7.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
915
1679
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
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