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Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
比较
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB vs AMD R538G1601S2LS 8GB
总分
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
总分
AMD R538G1601S2LS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
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需要考虑的原因
AMD R538G1601S2LS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.3
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
31
28
读取速度,GB/s
9.8
11.3
写入速度,GB/s
6.7
8.2
内存带宽,mbps
10600
12800
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1304
1793
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB RAM的比较
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
AMD R538G1601S2LS 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
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