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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
比较
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
总分
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
43
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
11
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
30
读取速度,GB/s
11.0
17.2
写入速度,GB/s
7.2
13.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1393
3238
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
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