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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
46
左右 -53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
13.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
30
读取速度,GB/s
14.2
18.6
写入速度,GB/s
13.6
15.6
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
3792
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB RAM的比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
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