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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB

总分
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

总分
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    33 left arrow 36
    左右 -9% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.3 left arrow 15
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.8 left arrow 10.1
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    36 left arrow 33
  • 读取速度，GB/s
    15.0 left arrow 16.3
  • 写入速度，GB/s
    10.1 left arrow 10.8
  • 内存带宽，mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2657 left arrow 2795

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB RAM的比较

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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

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Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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内存RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
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Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
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内存RAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
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内存RAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
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内存RAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
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内存RAM
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
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Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
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