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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB

总分
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

总分
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G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 17000
    左右 1.25% 更高的带宽
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    20 left arrow 36
    左右 -80% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    20.3 left arrow 15
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.5 left arrow 10.1
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    36 left arrow 20
  • 读取速度，GB/s
    15.0 left arrow 20.3
  • 写入速度，GB/s
    10.1 left arrow 15.5
  • 内存带宽，mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2657 left arrow 3632

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
内存RAM
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
内存RAM
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
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内存RAM
AMD AE34G2139U2 4GB
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Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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