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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
比较
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
总分
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
总分
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
54
左右 -100% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
27
读取速度,GB/s
15.7
9.7
写入速度,GB/s
11.6
6.8
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2511
1767
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
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