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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
比较
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
总分
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
总分
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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需要考虑的原因
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
51
左右 -82% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.8
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
28
读取速度,GB/s
9.8
19.8
写入速度,GB/s
8.2
14.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2182
3650
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
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