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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
41
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
30
读取速度,GB/s
11.6
16.2
写入速度,GB/s
7.3
15.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
3636
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
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