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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
41
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
29
读取速度,GB/s
11.6
18.5
写入速度,GB/s
7.3
14.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
3457
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM的比较
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Kingston KF556C40-16 16GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kllisre 0000 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
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