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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
总分
ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
66
左右 35% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.8
1,451.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
10600
6400
左右 1.66% 更高的带宽
需要考虑的原因
ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR2
PassMark中的延时,ns
43
66
读取速度,GB/s
10.7
3,099.3
写入速度,GB/s
6.8
1,451.3
内存带宽,mbps
10600
6400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
1314
511
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
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ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB RAM的比较
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
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