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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
43
左右 -139% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.4
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
18
读取速度,GB/s
12.3
21.4
写入速度,GB/s
8.1
18.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
3625
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR3 2400 CL10 4GB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
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