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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
43
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
28
读取速度,GB/s
12.3
17.8
写入速度,GB/s
8.1
14.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
3258
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
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