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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
比较
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
总分
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
38
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
38
读取速度,GB/s
9.8
14.7
写入速度,GB/s
7.2
11.4
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2065
2919
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
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