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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
比较
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
总分
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
46
左右 -53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
30
读取速度,GB/s
11.6
16.0
写入速度,GB/s
8.0
12.3
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
1854
2709
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
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