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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
比较
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
总分
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
总分
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
42
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
30
读取速度,GB/s
13.7
16.5
写入速度,GB/s
8.3
12.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2152
3158
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
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