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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
比较
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
总分
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
总分
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
83
左右 49% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
12.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
14900
左右 1.14 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
83
读取速度,GB/s
12.8
14.3
写入速度,GB/s
9.0
7.8
内存带宽,mbps
14900
17000
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
1752
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
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G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
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