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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
总分
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
65
左右 -195% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.5
1,711.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
22
读取速度,GB/s
4,018.7
18.8
写入速度,GB/s
1,711.1
13.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
3310
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
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