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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
总分
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
总分
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19
测试中的平均数值
需要考虑的原因
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
55
65
左右 -18% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
1,711.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
55
读取速度,GB/s
4,018.7
19.0
写入速度,GB/s
1,711.1
9.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
2239
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
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