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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
66
左右 -214% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
21
读取速度,GB/s
2,929.1
18.6
写入速度,GB/s
2,978.2
14.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
3062
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
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