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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
10.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
66
左右 -164% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
25
读取速度,GB/s
2,929.1
15.5
写入速度,GB/s
2,978.2
10.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
2832
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
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