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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

总分
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

总分
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Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB 需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    2 left arrow 11.6
    测试中的平均数值
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB 需要考虑的原因
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    45 left arrow 66
    左右 -47% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.5 left arrow 2,978.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    66 left arrow 45
  • 读取速度，GB/s
    2,929.1 left arrow 11.6
  • 写入速度，GB/s
    2,978.2 left arrow 8.5
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    511 left arrow 2036

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM的比较

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
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内存RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
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内存RAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Kingston 9905622-051.A00G 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
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Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Kingston 9905711-007.A00G 4GB
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内存RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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