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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
59
左右 -111% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
28
读取速度,GB/s
4,723.5
17.7
写入速度,GB/s
2,076.1
14.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
3410
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
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