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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
59
左右 -84% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
32
读取速度,GB/s
4,723.5
16.3
写入速度,GB/s
2,076.1
11.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2849
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
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