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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
17.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
59
左右 -119% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
27
读取速度,GB/s
4,723.5
18.3
写入速度,GB/s
2,076.1
17.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
3956
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AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
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