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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
总分
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,381.6
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
60
左右 -161% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
23
读取速度,GB/s
5,082.2
17.8
写入速度,GB/s
2,381.6
12.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
925
3091
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
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