RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB

总分
star star star star star
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

总分
star star star star star
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB 需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    14 left arrow 13.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8,883.4 left arrow 10.0
    测试中的平均数值
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB 需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    37 left arrow 44
    左右 -19% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 5300
    左右 3.62 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    44 left arrow 37
  • 读取速度，GB/s
    14,740.4 left arrow 13.9
  • 写入速度，GB/s
    8,883.4 left arrow 10.0
  • 内存带宽，mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2811 left arrow 2507

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM的比较

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
内存RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
内存RAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
内存RAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
内存RAM
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
内存RAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
内存RAM
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
内存RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
内存RAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
内存RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
内存RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
内存RAM
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
内存RAM