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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
12.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
44
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
35
读取速度,GB/s
14,740.4
15.3
写入速度,GB/s
8,883.4
12.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
3090
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
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