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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

总分
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

总分
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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB 需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
  • 更快的写入速度，GB/s
    8,883.4 left arrow 15.2
    测试中的平均数值
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB 需要考虑的原因
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    20 left arrow 44
    左右 -120% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    19.7 left arrow 14
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 5300
    左右 3.21 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    44 left arrow 20
  • 读取速度，GB/s
    14,740.4 left arrow 19.7
  • 写入速度，GB/s
    8,883.4 left arrow 15.2
  • 内存带宽，mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2811 left arrow 3473

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM的比较

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Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
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内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
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Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
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内存RAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
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内存RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
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Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
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