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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
35
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
23
读取速度,GB/s
12.3
16.5
写入速度,GB/s
7.3
13.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
3130
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
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