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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
35
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
30
读取速度,GB/s
12.3
16.0
写入速度,GB/s
7.3
14.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
3312
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
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