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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
35
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
22
读取速度,GB/s
12.3
18.3
写入速度,GB/s
7.3
12.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
3122
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CAS Latency (CL) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
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