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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
36
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
36
读取速度,GB/s
12.3
15.4
写入速度,GB/s
7.3
11.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
2320
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
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