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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
70
左右 -150% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.6
3,071.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
28
读取速度,GB/s
4,372.7
14.3
写入速度,GB/s
3,071.4
8.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2361
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
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