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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
23
读取速度,GB/s
9.4
18.0
写入速度,GB/s
5.5
13.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
3070
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
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