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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
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更快的读取速度,GB/s
18.6
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
28
读取速度,GB/s
9.4
18.6
写入速度,GB/s
5.5
14.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
3566
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
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