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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB

总分
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

总分
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Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB

差异 规格 评论

差异

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB 需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 32
    左右 13% 更低的延时
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.2 left arrow 9.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.4 left arrow 5.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 32
  • 读取速度，GB/s
    9.4 left arrow 17.2
  • 写入速度，GB/s
    5.5 left arrow 14.4
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1453 left arrow 3189

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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
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Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
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G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
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