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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB

总分
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

总分
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB

差异 规格 评论

差异

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB 需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB 需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 28
    左右 -4% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.7 left arrow 9.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.4 left arrow 5.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    9.4 left arrow 15.7
  • 写入速度，GB/s
    5.5 left arrow 10.4
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1453 left arrow 3052

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较

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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB RAM的比较

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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
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内存RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
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内存RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
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内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
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内存RAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
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内存RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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