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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
41
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
41
读取速度,GB/s
9.4
14.3
写入速度,GB/s
5.5
11.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
2656
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
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