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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
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更快的读取速度,GB/s
19.1
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
28
读取速度,GB/s
9.4
19.1
写入速度,GB/s
5.5
16.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
3859
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB RAM的比较
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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最新比较
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
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