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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

总分
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

总分
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Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

差异 规格 评论

差异

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB 需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB 需要考虑的原因
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 28
    左右 -22% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17 left arrow 9.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.5 left arrow 5.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 23
  • 读取速度，GB/s
    9.4 left arrow 17.0
  • 写入速度，GB/s
    5.5 left arrow 12.5
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1453 left arrow 3098

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较

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Kingston 9965596-023.B01G 8GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
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Kingston XK2M26-MIE 16GB
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Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
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内存RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
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内存RAM
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
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Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
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内存RAM
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
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V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
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