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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Kingston 9905713-019.A00G 4GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
38
读取速度,GB/s
9.4
16.3
写入速度,GB/s
5.5
11.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
3332
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
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