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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
30
读取速度,GB/s
9.4
15.5
写入速度,GB/s
5.5
12.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
3090
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Super Talent F24EA8GS 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
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