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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Maxsun MSD48G30M3 8GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Maxsun MSD48G30M3 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 15% 更低的延时
需要考虑的原因
Maxsun MSD48G30M3 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
33
读取速度,GB/s
9.4
14.4
写入速度,GB/s
5.5
11.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
3105
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
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