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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB

总分
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

总分
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB

差异 规格 评论

差异

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB 需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 37
    左右 24% 更低的延时
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB 需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.7 left arrow 9.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.2 left arrow 5.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 37
  • 读取速度，GB/s
    9.4 left arrow 14.7
  • 写入速度，GB/s
    5.5 left arrow 11.2
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1453 left arrow 2698

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较

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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
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内存RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
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内存RAM
Kingston HX316C10F/8 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
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内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
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内存RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
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内存RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
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Kingston 9905702-119.A00G 8GB
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