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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
32
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.7
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
32
读取速度,GB/s
9.4
17.7
写入速度,GB/s
5.5
11.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
2853
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
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