RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
63
左右 -163% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.7
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
24
读取速度,GB/s
3,231.0
15.8
写入速度,GB/s
1,447.3
11.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2971
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link