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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F2-6400CL5-1GBNT 1GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F2-6400CL5-1GBNT 1GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
G Skill Intl F2-6400CL5-1GBNT 1GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
63
69
左右 9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-6400CL5-1GBNT 1GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
1,471.1
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
6400
5300
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F2-6400CL5-1GBNT 1GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
63
69
读取速度,GB/s
3,231.0
2,909.1
写入速度,GB/s
1,447.3
1,471.1
内存带宽,mbps
5300
6400
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
447
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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